3B901.l. Masques et réticules pour la lithographie par ‘rayonnement ultraviolet extrême' (‘EUV'), conçus pour les circuits intégrés, non visés au paragraphe 3B001.g de l'annexe I du « règlement européen de contrôle des exportations des biens à double usage », et comportant un masque de « substrat brut » spécifié par l'alinéa 3B001.j de l'annexe I du « règlement européen de contrôle des exportations des biens à double usage ».
Notes techniques :
1. Le ‘rayonnement ultraviolet extrême' (‘EUV') correspond à un spectre électromagnétique dont les longueurs d'onde sont supérieures à 5 nm et inférieures à 124 nm.
2. Aux fins de l'alinéa 3B901.l, les masques sur lesquels une pellicule est déposée sont considérés comme masques et réticules.