3B901. l. Masques et réticules pour la lithographie par ‘ rayonnement ultraviolet extrême'(‘ EUV'), conçus pour les circuits intégrés, non visés au paragraphe 3B001. g de l'annexe I du « règlement européen de contrôle des exportations des biens à double usage », et comportant un masque de « substrat brut » spécifié par l'alinéa 3B001. j de l'annexe I du « règlement européen de contrôle des exportations des biens à double usage ».
Notes techniques :
1. Le ‘ rayonnement ultraviolet extrême'(‘ EUV') correspond à un spectre électromagnétique dont les longueurs d'onde sont supérieures à 5 nm et inférieures à 124 nm.
2. Aux fins de l'alinéa 3B901. l, les masques sur lesquels une pellicule est déposée sont considérés comme masques et réticules.